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BSO612CV G /MOSFET N and P-Ch 60V 3A, -2A DSO-8
BSO612CV G的规格信息
BSO612CV G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:3 A

Rds On-漏源导通电阻:120 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:SIPMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

系列:BSO612

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:3.9 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:1.2 S

下降时间:30 ns, 95 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:35 ns, 60 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns, 145 ns

典型接通延迟时间:12 ns, 15 ns

零件号别名:BSO612CVGHUMA1 BSO612CVGXT SP000216307

单位重量:540 mg

供应商BSO612CV G
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现代芯城（深圳）科技有限公司BSO612CV Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSO612CV G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司BSO612CV G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市安富世纪电子有限公司BSO612CV G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市坤融电子有限公司BSO612CV G航都大厦10I0755-23990975
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深圳市华芯盛世科技有限公司BSO612CV G深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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深圳市斌腾达科技有限公司BSO612CV G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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BSO612CV G的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		BSO612CV GInfineonFET - 阵列 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual N/P Channel 60 V 3 A2500+:￥2.94
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BSO612CV GInfineon TechnologiesMOSFET N and P-Ch 60V 3A, -2A DSO-81:¥7.2207
10:¥6.2263
100:¥4.7799
500:¥4.2262
2,500:¥2.9606
10,000:查看
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		BSO612CV GInfineonFET - 阵列 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual N/P Channel 60 V 3 A2500+:￥2.941+:￥5.8
10+:￥4.6701
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		BSO612CV GInfineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:￥5.6
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